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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11S65L
| Artikelnummer: | AOTF11S65L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11S65L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments AOTF11S65L.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F Serie aMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 31W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) Grundproduktnummer AOTF11 AOTF11S65L Einzelheiten PDF [English] AOTF11S65L PDF - EN.pdf -
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